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先进输电技术国家重点实验室
State Key Laboratory of Advanced Power Transmission Technology

戴朝波博士做题为“WiPDA 2017和SiC功率器件的应用”的学术讲座

发布日期:2018-01-19 信息来源:系统管理员

  12月29日,院学术技术委员会举办学术分享活动,电力电子所戴朝波博士为大家做了一场题为“WiPDA?2017和SiC功率器件的应用”的报告,讲座由邱宇峰院长主持,功率半导体所、直流所、计算所主要负责人和全院主要科研骨干人员参加了本次活动。

  戴博士根据本人参加WiPDA?2017国际会议收集到学术信息,并融入了一些思考和体会,整理出第三代半导体最新的应用进展,对帮助了解电力电子未来10年的发展方向具有参考价值。第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC为代表的新型半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优点,是电力电子发展的新方向,具有变革性的作用,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

  本次学术讲座是面向我院科研人员的一次成功的学术分享活动,同时也鼓舞科研人员积极“走出去”参与国际学术活动,并主动将有价值的技术情报“带回来”,为拓展我院科研创新思路发挥更大作用。

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